4n65场效应管参数,4n65f参数及代换,KIA4N65H资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-08-28
KIA4N65H场效应管漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（开）=2.5Ω @ VGS=10V，最大限度减少导通电阻；低栅极电荷，典型值为16nC，高坚固性、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，能够确保稳定性和可靠性，带来高效率和快速响应，减少电路中的噪音和干扰。KIA4N65H可以替代4n65型号应用在高效开关电源、开关电源、LED驱动中；封装形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F。
漏源电压：650V
漏极电流：4A
漏源通态电阻：2.5Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：12A
雪崩能量单脉冲：180MJ
功率耗散：58W
总栅极电荷：16nC
输入电容：560PF
输出电容：55PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：40ns
下降时间：50ns
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