KIA730H中文资料PDF,kia730h代换irf730场效应管-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-08-15
KIA730H可以代换irf730场效应管应用在开关电源、逆变器、电机驱动器、开关转换器中。kia730h漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，具有较低的导通电阻，低栅极电荷（典型值为20nC），可最大限度地减少导通损耗；快速切换能力，改进的dv/dt能力，极高的雪崩击穿耐量，确保性能稳定可靠；封装：TO-220、220F、251、252，多种封装满足不同需求。
漏源电压：400V
栅源电压：±30V
漏电流连续：6.0A
脉冲漏极电流：24A
雪崩能量：270mJ
耗散功率：73W
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：520PF
输出电容：80PF
上升时间：60ns
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
