?30n03场效应管参数,30n03场效应管代换,30n03参数-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-04-24
漏源电压：30V
漏极电流：30A
漏源通态电阻(RDS(on))：15mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：60A
雪崩能量单脉冲：72MJ
总功耗：25W
输入电容：572PF
输出电容：81PF
总栅极电荷：7.2nC
开通延迟时间：4.1nS
关断延迟时间：15.5nS
上升时间：9.8ns
下降时间：6.0ns
KIA30N03B是性能最高的沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。KIA30N03B符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性获得批准。
KIA30N03B场效应管具备出色的性能参数，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，具有超低的栅极电荷，RDS（开）参数为15mΩ @ VDS=30V，较低的导通电阻，有效减少能量损耗，出色的Cdv/dt效应下降，能够有效应对瞬态电压的变化，保障系统稳定性。
KIA30N03B场效应管100%的EAS保证，为用户提供更加可靠的保障，符合绿色设备标准，在环保节能方面表现出色，应用在同步降压变换器、DC-DC电源系统、负载开关时能够展现出卓越的性能，为设备的稳定运行提供有力的支持。30n03场效应管封装形式：TO-251、TO-252。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
