30n06参数代换,30n06场效应管参数,30n06引脚图中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-04-22
KIA30N06B是极高电池密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET ,它为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KIA30N06B满足RoHS和绿色产品要求，100%的EAS保证了全部功能的可靠性。
KIA30N06B场效应管是一款先进高密度沟槽技术的电子元件，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，具有出色的性能指标，在VDS为60V时，其RDS(on)仅为25mΩ，表现出超低的电阻特性、良好的Cdv/dt效应下降，为电路提供了更稳定的工作环境、100%的EAS保证具有更高的可靠性，能够在各种应用场景下发挥稳定的作用；30n06场效应管是绿色的可持续设备，符合现代节能环保的发展趋势。
KIA30N06B场效应管作为同步降压变换器和DC-DC电源系统、负载开关的关键元件，能够有效地控制输出电路的稳定性和效率，为各种电子设备的性能提升提供了有力支持，实现电力系统的高效率输出和节能运行，30n06场效应管封装形式：TO-251、TO-252。
漏流电压：60V
栅源电压（连续）：±20V
连续漏电流：25A
脉冲漏极电流：50A
雪崩能量：22.6A
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：60V
温度系数：0.063V/℃
栅极阈值电压：12V
输入电容：1345 PF
输出电容：72.5 PF
上升时间：14.2 ns
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