9n50场效应管参数,代换,KIA4750S引脚图参数-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-02-18
漏源电压Vds：500V
栅源电压Vgs：±30V
连续漏极电流Id，Tc=25℃：8A
Rdson-max（@Vgs=10V）：0.8 Ω
Qg-typ：59 nC
功率损耗Pd：53W
KIA4750S场效应管具有稳定可靠的性能，漏源电压为500V，漏极电流为9.0A，它的RDS(on)为0.7Ω，在VGS = 10 V时能够产生较低的电阻。这款场效应管还具有低栅电荷特性，能够最小化开关损耗。此外，它还配备了快速恢复体二极管，加强了其性能表现，KIA4750S封装形式：TO-252、TO-220，符合RoHS标准，符合环境友好要求。
由于其卓越的性能特点，KIA4750S场效应管广泛应用于适配器、充电器和smp备用电源等领域。它能够保持电压稳定，使电器设备能够高效、稳定地工作。无论是作为电源适配器，还是用于充电器，KIA4750S场效应管都能够表现出优异的性能，满足各种需求。而在smp备用电源中的应用，它能够保持电源的稳定性，为设备提供持续可靠的电力支持。总而言之，KIA4750S场效应管以其卓越的性能和广泛的应用领域，成为了当今电子设备中不可或缺的重要组成部分。
漏源电压：500V
栅源电压：±30A
漏电流连续：9.0A
脉冲漏极电流：28A
雪崩能量：400mJ
耗散功率：120W
漏源击穿电压：500V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：960PF
输出电容：110PF
上升时间：17ns
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