irf840参数引脚图,irf840场效应管代换,KIA840中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-02-04
漏极电流 (ID) ：8A
漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：500V
内阻 (RDS(ON)Ω) ：0.85Ω
栅极阈值电压 (VGS(th) min) ：2~4V
栅极电荷（Qg）：63 nC
开启电流 (IGFS(min) A) ：250μA
功耗环境最大值 (PDM) ：125W
KIA840场效应管具有500V 8A的参数，能够满足高压高电流的需求。这款场效应管的RDS（ON）参数仅为0.7Ω（典型值）在VGS=10V时，这意味着它具有非常低的电阻，能够有效降低能量损耗。KIA840场效应管能够代换irf840型号进行使用，KIA840封装有TO-252、TO-263、TO-220，多种封装形式可供选择，满足各种应用场景。
KIA840场效应管是一款适配器、电视电源、SMPS电源以及LCD面板电源等应用领域的理想选择。它具有出色的性能指标，包括低电阻、低栅极电荷，在开关过程中能够快速响应并提供稳定的电流输出；以及合理的峰值电流与脉冲宽度曲线，能够稳定可靠地满足各种应用需求。同时，它的符合RoHS标准，具备环境友好性，是一款值得信赖的电子器件。
漏源电压：500V
漏极电流：8A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：28A
雪崩能量单脉冲：400MJ
最大功耗：100/160W
输入电容：960PF
输出电容：110PF
开通延迟时间：11nS
关断延迟时间：46nS
上升时间：17ns
下降时间：22ns
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
