可控硅触发电路，原理、电路图收藏-KIA MOS管

可控硅由关断转为导通，除阳极要承受正向电压外，门极还要加上适当的触发电压，改变触发脉冲输出时刻便可达到改变输出直流电压的目的。为门极提供触发电压和电流的电路叫触发电路。

在设计可控硅（SCR）触发电路时，可控硅（SCR）整个区域的运行很大程度上取决于其触发方式。

在进行电路设计时，需要特别注意确保没有误触发，同时确保晶闸管在需要时触发。

在可控硅（SCR）触发中，包括栅极驱动要求（如果使用栅极触发）、触发时间（需要保持所施加的触发激励时间以使电路锁存）等各个方面都很重要，各种参数的重要性取决于所使用的可控硅（ SCR ）触发形式。

单结晶体管触发电路

单结晶体管是一种特殊的半导体元件，它有3个电极(一个发射极和两个基极),故又称双基极二极管。利用单结晶体管的负阻特性及电容的充、放电特性可组成单结晶体管自激振荡电路。如下图所示。

可控硅触发电路

假定在接通直流电源Ubb之前电容C上没有电压，一旦接通Ubb，电源立即通过可变电阻R对电容C充电，电容两端电压按指数函数规律增长。当uc=UP时，单结晶体管导通，于是电容 C就向输出电阻R1放电。

由于R1很小(50~100Ω)，所以放电非常快，并在输出电阻的电压波形图上形成尖脉冲电压。当uc下降到谷点电压Uv之后，单结晶体管截止，发射极电流几乎为零，输出尖脉冲停止，电容C再次充电。如此周而复始，在电容C上形成了锯齿波，在输出端R1的电压波形图上形成了一系列尖脉冲。

改变可变电阻R或电容C，均能改变脉冲的输出时刻，但一般都是通过改变R实现，因为改变R容易且投资小。

一般C值取0.1~0.47μF，C值太小会造成触发功率不够，过大则最小控制角增大，移相范围变小。

R1在50~100Ω之间取值为宜，R1值太小，则放电太快，脉冲太窄且幅度小，不利于触发可控硅；R1值太大，有可能由于流过未导通单结晶体管的漏电流在R1上产生的“残压”太大，而导致可控硅误导通。

因峰点电压UP=ηUbb+UV，分压比η不随温度的变化而变化，但UV随温度的上升而下降，所以峰点电压随温度的上升而下降，这会引起UP不稳定而影响控制角。在电路中接入不随温度变化的电阻R2，当温度升高时，UV值虽然下降，而rbb却增大，电流Ibb=E/(R1+R2+rbb)减小，R1、R2上的电压降相应减小，而E为恒定值，于是Ubb=E-(UR1+UR2)增大，以ηUbb的增加来补偿UV的减小，从而维持UP不变，使触发电路工作点基本稳定不变。R2一般取值200~600Ω。

双向可控硅触发电路图

可控硅触发电路

为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V，脉冲宽度应大于20us.图中BT为变压器，TPL521-2为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51的外部中断0的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B两点电压输出波形如图2所示。

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