电动工具、锂电?；ぐ逋萍鯩OS管 KCX2704A：40V 150A-KIA MOS管

KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由国内专注研发的优质MOS管厂家生产。KCX2704A是一款SGT工艺产品，是使用LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOSFET。改进的工艺和单元结构特别定制，以最小化导通电阻，提供优越的开关性能。该设备广泛用于UPS和逆变器系统的电源管理等。

随着手机快充、电动汽车、无刷电机和锂电池的兴起，中压MOSFET的需求越来越大，中压功率器件开始蓬勃发展，因其巨大的市场份额，国内外诸多厂商在相应的新技术研发上不断加大投入。SGT MOSFET作为中MOSFET的代表，被作为开关器件广泛应用于电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。

SGT MOSFET结构具有电荷耦合效应，在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布，在采用同样掺杂浓度的外延材料规格情况下，器件可以获得更高的击穿电压。

较深的沟槽深度，可以利用更多的硅体积来吸收EAS能量，所以SGT在雪崩时可以做得更好，更能承受雪崩击穿和浪涌电流。在开关电源，电机控制，动力电池系统等应用领域中，SGT MOSFET配合先进封装，非常有助于提高系统的效能和功率密度。

SGT技术优势：

提升功率密度

SGT结构相对传统的Trench结构，沟槽挖掘深度深3-5倍，可以横向使用更多的外延体积来阻止电压，显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻（Specific Resistance），例如相同的封装外形PDFN5*6，采用SGT芯片技术，可以得到更低的导通电阻。

极低的开关损耗

SGT相对传统Trench结构，具有低Qg 的特点。屏蔽栅结构的引入，可以降低MOSFET的米勒电容CGD达10倍以上，有助于降低器件在开关电源应用中的开关损耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流应用中抑制shoot-through的关键指标，采用SGT结构，可以获得更低的CGD/CGS比值。

更好的EMI优势

SGT MOS结构中的内置电阻电容缓冲结构，可以抑制DS电压关断时的瞬态振荡，开关电源应用中，SGT结构中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件关断时dv/dt变化带来的尖峰和震荡，进一步降低应用风险。

40V 150A KCX2704A特点：

VGS=10V时，RDS（ON）=1.25mΩ（典型值）

低栅极电荷

低Crss

快速切换

额定极限dv/dt

100%雪崩测试

无铅电镀

符合RoHS

KCX2704A漏源击穿电压40V，漏极电流最大为150A；开启延迟典型值为22nS，关断延迟时间典型值为87nS，上升时间64nS，下降时间28nS，反向传输电容43pF，反向恢复时间67nS，正向电压的典型值1.4V。

图：KCX2704A引脚配置

图：KCX2704A规格书

【KCX2704A应用】

40V 150A MOS管KCX2704A推荐用于锂电池?；ぐ?、无人机电调、同步整流、电动工具等。

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