双栅mos管场效应管及基本特征
信息来源：本站 日期：2017-07-27
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，双栅极MOSFET）是一种有两个栅极的四端器件，两个MOS管栅极都可以对沟道进行控制，目的是为了控制的便利性与独立性，尤其是有两个控制量的时候，就像一个水池装两个水龙头，可以更加方便地控制流量。
双栅极MOSFET大都是小功率产品，主要用于无线电接收机的混频级，两个栅极分别进行增益控制（高频放大）和混频（本振输入）或者变频（频率变换）。
因为有两个栅极，普通MSOFET的沟道长度就显得有些短，FinFET(双翼栅FET)就是专门针对双栅极MOSFET而设计了比较长的沟道（图1.27）。
为了进一步减少两个栅极之间相互的干扰，PSDG(Planar Split Dual Gate，平面分离栅)MOSFET成运而生，在加长沟道的基础上，两个栅极之间增加厂隔离区（带），很像两个共用源极和漏极的MOSFET。
因此，虽然DGMOSFET、FinFFT、PSDG MOSFET在概念和具体工艺结构上均有区别，不过在工程实践上，区别并不大，新型产品以PSDG MOSFET居多。在概念范畴上，DGMOSFET可以视为FinFET、PSDG MOSFET的统称：，
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