场效应管门极驱动电路解析-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2021-03-23
场效应管门极驱动电路图
场效应管门极驱动电路-（1)直接驱动
电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。
（2)互补三极管驱动
当MOS管的功率很大时，而PWM芯片输出的PWM信号不足已驱动MOS管时，加互补三极管来提供较大的驱动电流来驱动MOS管。
PWM为高电平时，三极管Q3导通,驱动MOS管导通;PWM为低电平时，三极管Q2导通，加速MOS管的关断;电阻R1和R3的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;二极管D1是加速MOS的关断。
（3)耦台驱动(利用驱动变压器耦合驱动)
当驱动信号和功率MOS管不共地或者MOS管的源极浮地的时候，比如Buck变换器或者双管正激变换器中的MOS管，利用变压器进行耦合驱动如右图:
驱动变压器的作用:
1.解决驱动MOS管浮地的问题;
2.解决PWM信号与MOS管不共地的问题;
3. 一个驱动信号可以分成两个驱动信号;
4.减少干扰。
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