50n03参数中文 MOS管电路符号说明 30V50A内阻低 当天发货-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2020-09-28
KIA50N03A是性能最高的沟道型N-ch MOSFETs，具有极高的性能单元密度，为大部分同步降压转换器提供优良的RDSON和栅极电荷产品用途：满足罗氏和绿色产品的需求，100%艾氏保真全功能可靠性批准。
产品特点：
先进的沟槽处理技术
超低导通电阻的高密度电池设计
全特性雪崩电压和电流
产品应用：
V DSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
R DS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
R DS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
常用于场效应管的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET或是耗尽型MOSFET。
由于集成电路芯片上的MOS管为四端元件，所以除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极。MOSFET电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为N型或是P型的MOSFET。箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）；反之若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
在一般分布式MOSFET元件中，通常把基极和源极接在一起，故分布式MOSFET通常为三端元件。而在集成电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极，所以不标示出基极的极性，而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。
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