MOS管损毁原因大总结 看得明明白白-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2020-03-03
本文主要讲MOS管损毁原因，会从4个方面来讲。希望对大家有所帮助。MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
1、MOS管损毁原因-在电源电压方面
1）、过流-------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；
2）、过压-------源漏过压击穿、源栅极过压击穿；
3）、静电-------静电击穿。CMOS电路都怕静电；
2、MOS管损毁原因-在MOS管电源电压方面
1）、漏源电压过大，MOS管烧坏。现象：MOS管D、S两端短路；
2）、漏源电流过大，MOS管烧坏。现象：MOS管D、S两端短路；
3）、栅源电压过大，MOS管烧坏。现象：MOS管G、D、S短路；
3、MOS管损毁原因-其他方面
1）、堵转会使电机感应电动势升高，使电机电流大增过流保护太迟钝；
2）、同时导通；
3）、功率过大；
4）、散热不足；
5）、频率太高；
6）、MOS管内阻未充分考虑，导致开关阻抗增大；
4、MOS管损毁原因-会对MOS管造成的影响
1）、MOS管吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响MOS管的功能和寿命。
2）、因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使MOS管不能工作（完全破坏）。
3）、因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使MOS管受伤，虽仍能工作，但是寿命受损。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
