场效应管irf3205供应商 技术参数信息-场效应管irf3205中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2018-12-18
IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。
场效应管irf3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得场效应管irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF3205得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。
先进的工艺技术
贴片安装
低端通孔安装
超低导通阻抗
动态dv/dt率
175℃工作温度
快速转换速率
无铅环保
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