逆变器 MOS管 KIA13N50 13A/500V规格书-原厂直销 免费送样-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2018-12-15
KIA13N50 N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。
产品编号：KIA13N50
漏极至源极电压（VDSS）：500V
栅源电压（VGSS）：±30V
漏极电流 （连续）（lD）：13A
耗散功率（PD）：195W
工作温度：±150℃
击穿电压温度：0.5/℃
输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升时间：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型的45nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
主要适用于高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。
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