广东可易亚半导体科技有限公司主营半导体产品丰富，是一家国产MOS管厂家。专业...广东可易亚半导体科技有限公司主营半导体产品丰富，是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、...
KIA7N80场效应管是一款性能出色的电子器件，具有极高的可靠性和稳定性，7n80漏...KIA7N80场效应管是一款性能出色的电子器件，具有极高的可靠性和稳定性，7n80漏极电流7A，漏源击穿电压800V，RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，栅极电荷低，仅为27nC，快...
KIA3N80H场效应管性能优越，漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，表现出强大的功...KIA3N80H场效应管性能优越，漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，表现出强大的功率承受能力；在开启状态下，静态电阻RDS为4.8?，在栅极电压为10V时具有稳定的电气...
KIA12N65H场效应管漏极电流12A，漏源击穿电压650V，RDS（on）为0.63?，在VGS为...KIA12N65H场效应管漏极电流12A，漏源击穿电压650V，RDS（on）为0.63?，在VGS为10V时表现出色、低栅极电荷，典型值为52nC，使得它在高频率下仍能表现稳定、快速切...
KND3504A场效应管，采用了沟槽功率低压MOSFET技术，漏极电流70A，漏源击穿电压...KND3504A场效应管，采用了沟槽功率低压MOSFET技术，漏极电流70A，漏源击穿电压40V，具有低导通电阻，典型值为7.0mΩ；出色的散热封装和低RDS（ON）的高密度电池设...
KNH3730A场效应管是一款性能优越的器件，采用专有新型平面技术，具有50A的漏极...KNH3730A场效应管是一款性能优越的器件，采用专有新型平面技术，具有50A的漏极电流和300V的漏源击穿电压，RDS（ON）在VGS=10V时仅为70mΩ（典型值），能够实现低栅...
