MOS管4.0A600V KNX4360A特征 RDS(ON)=1.9Ω(typ.)@VGS=10V,ID=2A 快速切换 ...MOS管4.0A600V KNX4360A特征 RDS(ON)=1.9Ω(typ.)@VGS=10V,ID=2A 快速切换 雪崩测试100% 提高dv/dt能力
影响MOS器件及其集成电路可靠性的因素很多，有设计方面的，如材料、器件和工艺...影响MOS器件及其集成电路可靠性的因素很多，有设计方面的，如材料、器件和工艺等的选取；有工艺方面的，如物理、化学等工艺的不稳定性；也有使用方面的，如电、热...
为了有效地抑制短沟道效应，并保持良好的亚阈值斜率，栅氧化层厚度要和沟道长度...为了有效地抑制短沟道效应，并保持良好的亚阈值斜率，栅氧化层厚度要和沟道长度以同样的比例下降。对于0.1μm尺度的CMOS器件，栅氧化层厚度需达到3nm左右。对于超...
电子电路中常用的保护器件有：稳压二极管、瞬态电压抑制TVS管、ESD放电二极管、...电子电路中常用的保护器件有：稳压二极管、瞬态电压抑制TVS管、ESD放电二极管、半导体放电管等先进的新型电子元器件。保护元器件，主要保护电子电路中的精密器件免...
瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形...瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12...
绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但应用最多的是MOS管...绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管...
