在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算...在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值...
1、V（BR）DSS 的正温度系数特性。这一有异于双极型器件的特性使得其在正常工作...1、V（BR）DSS 的正温度系数特性。这一有异于双极型器件的特性使得其在正常工作温度升高后变得更可靠。但也需要留意其在低温冷启机时的可靠性。
KIA产品丝印变通知函，由于我司产品丝印变更给贵司造成困扰，还望理解！KIA产品丝印变通知函，由于我司产品丝印变更给贵司造成困扰，还望理解！
AO4406可用KNE6303A替换 锂电保护板MOS管 30V12A KNE6303A特征 先进的沟槽加...AO4406可用KNE6303A替换 锂电保护板MOS管 30V12A KNE6303A特征 先进的沟槽加工技术 用于超低导通电阻的高密度电池设计 完全表征的雪崩电压和电流
如果说我们的high mosfes和LOW mosfes 同步的时候，会发现有些应用它就叫开关管...如果说我们的high mosfes和LOW mosfes 同步的时候，会发现有些应用它就叫开关管，并没有叫high mosfes和LOW mosfes，也就是高端mos管和低端mos管;那么这种情况的肯...
在半导体内，多数载流子和少数载流子两种极性的载流子（空穴和电子）都参与有源...在半导体内，多数载流子和少数载流子两种极性的载流子（空穴和电子）都参与有源元件的导电，如通常的NPN或PNP双极型晶体管。以这类晶体管为基础的单片集成电路，称...
