在强反型状态下饱和区中的工作 ?? ?小信号参数的值因MOS晶体管的工作...在强反型状态下饱和区中的工作 ?? ?小信号参数的值因MOS晶体管的工作区域而变化。假定MOS晶体管处于VGS比阈值电压VT高得多的强反型状态，而且工作在饱和...
VMOS之所以能成为MOSFET乃至FET的应用主流，主要缘由是低电压规格的饱和导通电...VMOS之所以能成为MOSFET乃至FET的应用主流，主要缘由是低电压规格的饱和导通电阻十分低，远低于二极管的压降，在低压大电流的应用中具有无可比较的优势，也是便携...
栅极接地放大电路 ? ?如表3.1所示，所谓栅极接地放大电路，就是在栅极...栅极接地放大电路 ? ?如表3.1所示，所谓栅极接地放大电路，就是在栅极固定为一定电位的状态下，输入信号加到源极上，从漏极取出输出信号的电路。 ?...
小信号等效电路 模仿电路解析包括直流解析和交... 小信号等效电路 模仿电路解析包括直流解析和交流小信号解析。这里导入小信号解析时所需要的小信号等效电路。小信号等效电路模型是...
MOS晶体管的噪声 MOS晶体管自身产生的噪声中，特别重要的是热噪声和闪烁...MOS晶体管的噪声 MOS晶体管自身产生的噪声中，特别重要的是热噪声和闪烁噪声（1／f噪声）。 沟道电阻产生的热噪声 ? ?电子在电阻巾作...
由于MOS晶体管M1的源极与基底都接地，所以不发作衬底偏置效应。而M2源极的电位...由于MOS晶体管M1的源极与基底都接地，所以不发作衬底偏置效应。而M2源极的电位VS比接地的基底的电位VB=0要高，这就意味着VSB>0。其结果，M2发作基底偏置效应，使M...
