KIA半导体推出碳化硅二极管（SiC diode）
信息来源：KIA半导体 日期：2016-03-19
为了满足严格的最新效率规范（能源之星、80Plus、欧洲能源效率）的要求，电源设计者必须考虑使用新型功率转换器拓扑和效率更高的电子元件，例如高压碳化硅（SiC）二极管。
KIA半导体的SiC二极管利用了碳化硅出色的物理特性，其动态反向恢复特性比硅好4倍、正向导通电压VF比它低15%。
在硬开关应用中，比如高端服务器和通讯电源，SiC肖特基二极管大幅降低了功率损耗，并且得到了广泛使用。它们还越来越多地被应用到太阳能逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）和电动车（EV）之中。
KIA半导体推出了全套SiC二极管，其电压范围为600 ~ 1700 V。这些产品提供多种封装选项，让设计者能够灵活提高效率和可靠性，加快产品面市步伐，削减成本。
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