75n75场效应管参数-75n75引脚图-75n75电路图-75N75PDF KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2018-06-27
75N75是N沟道增强型功率场
状态特性稳定、快速的效应晶体管
开关速度，低热阻，常用于电信
和计算机应用。
RDS(ON)=12.5m? @VGS=10V
超低栅电荷（典型的90纳米）
快速交换能力
指定雪崩能量
改进的dv/dt能力，坚固性高
产品型号：KIA75N75
工作方式：75A/75V
漏源电压：75V
栅源电压：±20V
漏电流连续：75A
脉冲漏极电流：300A
雪崩能量：900mJ
耗散功率：220W
热电阻：62.5℃/V
漏源击穿电压：75V
温度系数：0.08/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：3300PF
输出电容：530PF
上升时间：79ns
封装形式：TO-251、252、220、220F
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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