KND4820B现货供应商 KND4820B PDF文件下载 9A 200V参数资料-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-03-08
1、应用
KND4820B通道增强型硅栅功率MOSFET的高电压设计，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器。
2、特征
专有的新平面技术
RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低门电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
3、产品参数
产品型号：KND4820B
工作方式：9A/200V
漏源电压：200V
栅源电压：±20V
漏电流连续：9.0A
脉冲漏极电流：36A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：83V
热电阻：75℃/W
漏源击穿电压：200V
栅极阈值电压：1.0V
输入电容：418PF
输出电容：94PF
上升时间：6.0ns
封装形式：TO-251、TO-252
4、产品规格
 |
KND4820B |
| 产品编号 | KND4820B 9A/200V |
| 产品特征 |
专有的新平面技术 RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v 低门电荷最小化开关损耗 快速恢复体二极管 |
| 适用范围 |
高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器。 |
| 封装形式 | TO-251、TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF总页数 | 总8页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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