4820现货供应商 KIA4820 PDF文件 4820参数详细资料-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-02-27
KIA4820增强型硅栅功率MOSFET的高电压设计，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器。
2、特征
专有的新平面技术
RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低门电荷减少开关损耗
快速恢复体二极管
3、参数指标
产品型号：KIA4820
工作方式：9A/200V
漏源电压：200V
栅源电压：±20V
漏电流连续：9A
脉冲漏极电流：36A
雪崩能量：300m
耗散功率：83W
热电阻：75℃/W
漏源击穿电压：200V
栅极阈值电压：1.0V
输入电容：418 PF
输出电容：94 PF
上升时间：6.0 ns
封装形式：TO-220、TO-252
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KIA4820 |
| 产品编号 | KIA4820（9A 200V） |
| 产品工艺 |
KIA4820b增强型硅栅功率MOSFET的高电压设计，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器 |
| 产品特征 |
专有的新平面技术 RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v 低门电荷减少开关损耗 快速恢复体二极管 |
| 适用范围 |
主要适用于高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器 |
| 封装形式 | TO-220、TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF总页数 | 总8数 |
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