原装KIA品牌mos管 6410 KIA6410 15A/100V PDF文件下载-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-02-14
特征
RDS（ON）典型值= 1.8mΩ@ VGS = 10v
低栅极电荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切换
100%雪崩测试
改进的dt／dt能力
参数
产品型号：KIA6N70
工作方式：15A/100V
漏源电压：100V
栅源电压：±20V
漏电流连续：15A
脉冲漏极电流：60V
耗散功率：50W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：100V
温度系数：0.05V/℃
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：1480PF
输出电容：480PF
上升时间：9.5ns
封装形式：TO-252、TO-251、TO-220
 |
KIA6410 |
| 产品编号 | KIA6410/AP/AU |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
功率MOSFET采用起亚的高级平面条形DMOS工艺生产。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。 |
| 产品特征 |
RDS（ON）典型值= 1.8mΩ@ VGS = 10v 低栅极电荷（典型的16nc） 高耐用性 快速切换 100%雪崩测试 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正?；诎肭磐仄恕?/span> |
| 封装形式 | TO-220、TO-251、TO-252 |
| PDF文件 |
 【直接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF文件 | 总5页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8029
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”。
长按二维码识别关注
