3N80现货供应商 KIA3N80 3.0A/800V PDF文件下载 3N80参数资料-KIA官网
信息来源：本站 日期：2018-02-06
KIA3n80hN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计对于高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。
特征
RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V
低栅极电荷（典型的13nc）
高耐用性
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
参数
产品型号：KIA3N80
工作方式：3.0A/800V
漏源电压：800V
栅源电压：±30V
漏电流连续：3A
脉冲漏极电流：12A
雪崩能量：320mJ
耗散功率：39W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：800V
温度系数：1V/℃
栅极阈值电压：3.0V
输入电容：543 PF
输出电容：54 PF
上升时间：43.5 ns
封装形式：TO-220F
 |
KIA3N80 |
| 产品编号 | KIA3M80（3.0A 800V） |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品特征 |
RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V 低栅极电荷（典型的13nc） 高耐用性 快速切换的能力 雪崩能量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
KIA3n80hN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计对于高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。 |
| 封装形式 | TO-220F |
| PDF文件 |
 【直接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF页总数 | 总6页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”
长按二维码识别关注
