12N65现货供应商 KIA12N65 12A/650V KIA12N65 PDF下载 -KIA官网
信息来源：本站 日期：2018-02-02
KIA12n65hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。
KIA12N65特征
RDS(on)=0.63?@ VGS = 10V
低栅极电荷（典型的52nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
产品型号：KIA12N65
工作方式：12A/650V
漏源电压：650V
栅源电压：±30V
漏电流连续：12.0*A
脉冲漏极电流：48.0*A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：650V
温度系数：0.7V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1850 PF
输出电容：180 PF
上升时间：90 ns
封装形式：TO-220F
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KIA12N65（12A 650V） |
| 产品编号 | KIA12N65/HF |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
KIA12n65hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器 |
| 产品特征 |
RDS(on) = 0.63?@ V GS = 10 V 低栅极电荷（典型的52nc） 快速切换的能力 雪崩能量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 | 适用于高速功率开关，开关电源等 |
| 封装形式 | TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF总页数 | 总5页 |
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