irl8726参数,8726参数,100n03场效应管参数代换-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-09-11
KIA100N03场效应管采用先进平面条纹DMOS技术生产，漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V，最小化通态电阻，提高效率，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲；增强的dv/dt能力、快速切换，绿色设备可用。KIA100N03可以替代irl8726型号应用在高效率开关电源，小功率LED、锂电池?；ぐ?；封装形式：TO-251、252、263、220。
漏源电压：30V
漏电流连续：90A
栅源电压：±20A
脉冲漏极电流：360A
雪崩电流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率：88W
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：3070PF
输出电容：400PF
反向传输电容：315PF
开启延迟时间：12.6ns
关断延迟时间：12.6ns
上升时间：42.8ns
下降时间：13.2ns
联系方式：邹先生
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