18p10场效应管参数,控制板mos管,KIA7610A参数引脚图-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-08-06
KIA7610A场效应管能够代换18p10型号在无创呼吸机、LED驱动、控制板中应用，KIA7610A漏源击穿电压100V，漏极电流25A，RDS（开）=32mΩ，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻，性能出色，具备较高的耐高温性能，适用于各种苛刻的工作环境、快速的开关速度在电路转换中能够迅速响应，确保电路效率和稳定性，以及改进的重复雪崩额定值，提高了设备的可靠性和安全性；100%雪崩测试，符合高标准的质量要求，适用于各种应用场景，特别是DC-DC转换器和离线UPS系统，封装形式：TO-252、TO-251。
漏源电压：100V
漏极电流：25A
漏源通态电阻(RDS(on))：32mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：100A
雪崩能量单脉冲：90MJ
最大功耗：60W
输入电容：2020PF
输出电容：450PF
总栅极电荷：55nC
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：58nS
上升时间：19ns
下降时间：75ns
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