电机控制,电源mos管,KPS6110B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-08-02
KPS6110B场效应管采用先进沟槽技术，漏源击穿电压-100V，漏极电流-12A，在VGS=-10V时，RDS（ON）=170mΩ（典型值），可靠且坚固、绿色设备可用，在电源管理、直流电机控制中提高优越的性能；封装形式：SOT89，小巧、安装方便、散热良好。
漏源电压：-100V
漏极电流：-12A
漏源通态电阻：170mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-48A
雪崩能量单脉冲：49MJ
功率耗散：39W
总栅极电荷：19nC
输入电容：1228PF
输出电容：41PF
开通延迟时间：9nS
关断延迟时间：39nS
上升时间：6ns
下降时间：33ns
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