75V 150A场效应管,KIA2807N参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-07-26
KIA2807N场效应管采用超低导通电阻的高密度电池设计，漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；超低导通电阻、100%雪崩测试、可提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），具有优越的开关性能，在DC-DC转换器和离线UPS、开关电源中的高效同步整流等领域应用表现出色、坚固耐用。KIA2807N能够代换TPH2R608NH,L1Q进行使用，封装形式：TO-247。
漏源电压：75V
漏极电流：150A
漏源通态电阻(RDS(on))：5.0mΩ
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：600A
雪崩能量单脉冲：784MJ
总功耗：350W
总栅极电荷：145nC
输入电容：7200PF
输出电容：700PF
开通延迟时间：26nS
关断延迟时间：72nS
上升时间：96ns
下降时间：66ns
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
