100n08参数代换,KNP2908B场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-07-10
KNP2908B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压80V，漏极电流130A，提供优异的RDS（ON）=5.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷，低RDS（ON）的高密度电池设计、完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高，非常适合应用于电源切换应用、硬开关和高频电路、不间断电源中；出色的封装：TO-220，散热良好。
漏源电压：80V
漏极电流：130A
漏源通态电阻(RDS(on))：5mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：520A
雪崩能量单脉冲：900MJ
总功耗：245W
总栅极电荷：160nC
输入电容：7950PF
输出电容：460PF
开通延迟时间：24nS
关断延迟时间：75nS
上升时间：41ns
下降时间：25ns
KNP2908B场效应管能够代换110n8f5和100n08这两款型号来使用。110n8f5,100n08场效应管代换型号KNP2908B广泛应用于DC/DC电源、DC-AC逆变器、开关电源、UPS、BLDC电机驱动及锂电池保护板上。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
