电源适配器mos管,KNX6140S场效应管参数原厂现货-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-06-18
电源适配器mos管KNX6140S是一款N沟道增强型硅栅极功率MOSFET，漏源击穿电压400V，漏极电流11A，RDS（开启）典型值=0.53Ω@VGS=10V，较低的导通电阻，可最大限度地减少导通损耗，具有超低栅极电荷，出色的改进的dvdt功能，以及高坚固性、快速切换等特性，100%雪崩测试，确保性能稳定可靠。
KNX6140S专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器等。封装形式：TO-220F/TO-220，散热良好，安装方便。
漏源电压：400V
漏极电流：11A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.53Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：44A
雪崩能量单脉冲：365MJ
总功耗：40.2/194.5W
总栅极电荷：15.7nC
输入电容：980PF
输出电容：140PF
开通延迟时间：33.5nS
关断延迟时间：83nS
上升时间：31.5ns
下降时间：56ns
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