小功率led,锂电池保护板MOS管,3203场效应管,参数资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-06-11
KND3203B场效应管具有100A、30V的额定参数，采用了CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术，具有极低的导通电阻RDS（接通）和优秀的QgxRDS（on）产品性能；RDS（开）为3.1mΩ@VGS=10V，表现出优异的特性，符合JEDEC标准，广泛应用于电机控制和驱动、小功率LED、锂电池保护板、UPS（不间断电源）等领域。3203场效应管封装形式：TO-252，体积小、重量轻、散热性能良好，便于在紧凑空间中进行安装和布局。
漏源电压：30V
漏极电流：100A
漏源通态电阻(RDS(on))：3.1mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：320A
雪崩能量单脉冲：256MJ
总功耗：101W
总栅极电荷：50nC
输入电容：2340PF
输出电容：460PF
开通延迟时间：11nS
关断延迟时间：34nS
上升时间：102ns
下降时间：95ns
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