?2920MOS管现货,2920场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-05-24
KCX2920K场效应管是一款具有SGT MOSFET技术的优质器件，采用新型沟槽技术，漏源击穿电压200V，漏极电流130A，表现出色；RDS（ON）为9.8mΩ（典型值）@VGS=10V，在低栅极电荷情况下最小化开关损耗，快速恢复体二极管，能够在DC-DC转换器中发挥重要作用。
KCX2920K场效应管同样适用于高频开关和同步整流领域，能够有效降低能量损耗，提升转换效率；稳定可靠的特性，为提升能源利用效率、降低系统能耗提供了可靠保障。封装形式：TO-220、TO-263、TO-247，多种封装选择，方便安装使用。
漏源电压：200V
漏极电流：130A
漏源通态电阻(RDS(on))：9.8mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：440A
雪崩能量单脉冲：2000MJ
总功耗：333W
总栅极电荷：75nC
输入电容：6780PF
输出电容：390F
开通延迟时间：40nS
关断延迟时间：45nS
上升时间：15ns
下降时间：10ns
联系方式：邹先生
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