6706MOS管,6706场效应管,参数引脚图规格书-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-05-16
KIA6706A是一款高单元密度的沟槽式N沟MOSFET，具有出色的RDSON性能，适用于大多数同步buck变换器应用的门极电荷。6706场效应管符合RoHs和绿色产品要求，是一款环保的元器件选择。
KIA6706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流18A，额定RDSON为7.5mΩ（在VGS=10V时），表现稳定可靠，具有超低的门电荷，在工作时能够更加高效，还具有Cdv/dt效应下降的特点，有助于减少电路中的不稳定因素，提升整体性能，KIA6706A是一款具有先进技术和优秀性能的MOSFET器件，适用于各种应用场景。
漏源电压：60V
栅源电压：±20A
漏电流连续：18A
脉冲漏极电流：75A
雪崩电流：40A
雪崩能量：80mJ
耗散功率：2.7W
热电阻：45℃/V
漏源击穿电压：60V
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：3307PF
输出电容：201PF
上升时间：41.2ns
封装形式：SOP-8
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