3423场效应管参数引脚图,PMOS管3423,SOT23-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-05-13
KIA3423采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压-20V，漏极电流-2.0A，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，能够减少功耗，提高效率。3423场效应管适合用作负载开关或PWM应用。标准产品KIA3423不含铅（符合ROHS和Sony 259规范），是绿色产品订购选项。KIA3423场效应管封装形式：SOT-23，散热效果良好，使用安装方便，适合空间有限的设计。
VDS(V)=-20V
ID=-2.0A
RDS(on)<92mΩ(VGS=-10V,ID=-2.0A)
RDS(on)<118mΩ(VGS=-4.5V,ID=-2.0A)
RDS(on)<166mΩ(VGS=-2.5V,ID=-1.0A)
漏源电压：-20V
漏极电流：-2.0A
栅源电压：±12V
脉冲漏电流：-8A
总功耗：1.4W
输入电容：512PF
输出电容：77PF
总栅极电荷：5.5nC
开通延迟时间：5nS
关断延迟时间：28nS
上升时间：6.7ns
下降时间：13.5ns
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