?3414参数,3414场效应管参数,3414场效应管代换-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-05-09
KIA3414采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流4.2A，提供出色的RDS（on），低栅极电荷门极电压低至1.8V。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3414无铅（符合ROHS和Sony 259规范），是一款高性能的绿色产品。3414场效应管具有出色的封装，封装形式：SOT-23，散热效果良好，使用安装方便。
VDS (V)=20V
ID=4.2A
RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A)
RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)
漏源电压：20V
栅源电压：±12A
漏电流连续：4.2A
脉冲漏极电流：15A
耗散功率：1.4W
热电阻：70℃/W
漏源击穿电压：20V
栅极阈值电压：-0.4V
输入电容：436PF
输出电容：66PF
上升时间：6.3ns
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