3400参数,3400场效应管参数引脚图,KIA3400中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-05-06
KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。3400场效应管适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3400是无铅的（符合ROHS和Sony 259规范）。KIA3400是一款绿色产品订购选项。KIA3400在电气上是相同的。
VDS(V)=30V
RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)
RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)
RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)
漏源电压：30V
漏极电流：4.8A
栅源电压：±12V
脉冲漏电流：30A
总功耗：1.4W
输入电容：823PF
输出电容：99PF
总栅极电荷：9.7nC
开通延迟时间：3.3nS
关断延迟时间：26.3nS
上升时间：4.8ns
下降时间：4.1ns
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