9103场效应管参数,40A 30V mos管,KNX9103A中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-04-28
KNX9103A场效应管是一款具有先进的沟槽工艺技术的高性能器件，漏源击穿电压30V，漏极电流40A，采用了超低导通电阻的高密度电池设计，具有非常优秀的电气特性；RDS（ON）仅为8.5mΩ（典型值），VGS为10V，表现出极佳的导通能力，经过了完全的雪崩电压和电流特性测试，确保在各种情况下都能可靠工作。
KNX9103A场效应管适用于各种应用领域，无论是应用于DC-DC开关、移动电源还是LED照明电源，KNX9103A都能够发挥出色的作用，为电子产品的稳定运行提供坚实的保障，能够满足各种高要求的电路设计需求。KNX9103A场效应管封装形式：TO-252。
漏源电压：30V
漏极电流：40A
漏源通态电阻(RDS(on))：8.5mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：160A
总功耗：60W
输入电容：910PF
输出电容：190PF
总栅极电荷：8nC
开通延迟时间：12nS
关断延迟时间：28nS
上升时间：5ns
下降时间：5ns
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