4820场效应管参数引脚图,200V 9A,KNX4820B中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-04-18
KNX4820B场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，采用了专有新型平面技术，是一款高性能的器件，RDS（ON），典型=250mΩ@VGS=10V，保证了稳定的工作状态、低栅极电荷的最小化设计，有效降低了开关损耗，提升了能效、配备快速恢复体二极管，有效提高器件的响应速度和稳定性；这些先进的技术和设计让KNX4820B能够在各种应用场景下发挥出色的性能，满足不同领域的需求。
KNX4820B N沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。KNX4820B封装形式：TO-252、TO-251。
漏源电压：200V
漏极电流：9.0A
漏源通态电阻(RDS(on))：250mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：36A
雪崩能量单脉冲：300MJ
最大功耗：83W
输入电容：418PF
输出电容：94PF
总栅极电荷：28nC
开通延迟时间：7.0nS
关断延迟时间：20nS
上升时间：6.0ns
下降时间：6.0ns
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