P30v mos管,30V PMOS管,低压MOS场效应管,国产厂家-KIA MOS管

P30v mos管,30V PMOS管参数

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P30v MOS,KIA3409参数引脚图

KIA3409采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）和低栅极电荷。该器件适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3409不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。

VDS(V)=-30V

ID=-2.6A

RDS(on)<130mΩ(VGS=-10V,ID=-2.6A)

RDS(on)<200mΩ(VGS=-4.5V,ID=-2.0A)

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P30v MOS,KPE4403A参数引脚图

漏极电流 (ID) ：-5.0A

漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-30V

栅极电荷（Qg）：6.5 nC

功耗 (PDM) ：1.5W

RDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=10 V

KPE4403A特点：

绿色设备可用

超低栅极电荷

出色的Cdv/dt效应下降

先进的高单元密度沟槽技术

KPE4403A是高单元密度沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。KNE4403A符合RoHS和绿色产品要求。

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KIA半导体MOS管具备强大的核心竞争力，是开关电源生产厂家的优质选择。KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快恢复二极管；广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域；可申请免费送样以及报价、技术支持服务。

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