4665参数,4665场效应管,KNX4665B中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-04-11
KNX4665B场效应管具有高击穿电压、低导通电阻和低开关损耗等特点，漏源击穿电压高达650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力、良好的导电性能，RDS（ON）的典型值为1.1Ω，在VGS=10V时能够实现较低的导通电阻，具有较高的工作效率，还能够实现低栅极电荷最小化，有效降低开关损耗，提升整体性能。
KNX4665B场效应管符合ROHS标准、还配备了快速恢复体二极管，可以有效减少反向恢复时间，提高开关速度，降低损耗，特别适用于需要频繁开关的场合，如开关电源和LED驱动，为电子设备的稳定运行提供可靠保障。KNX4665B场效应管封装形式：TO-252、TO-220F。
漏源电压：650V
漏极电流：7A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.1Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：28A
雪崩能量单脉冲：400MJ
最大功耗：75/42W
输入电容：1048PF
输出电容：98PF
总栅极电荷：24nC
开通延迟时间：12nS
关断延迟时间：34nS
上升时间：12ns
下降时间：14ns
KNX4665B沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器等。
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