2804场效应管参数,引脚图,150A 40V参数,KNX2804C-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-04-07
KNX2804C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流150A，采用先进的沟槽MOS技术，具有极低的导通电阻RDS（接通），能够实现高效的电路控制；2804场效应管RDS（ON）为3.0mΩ，在10V的VGS条件下表现出优异的性能，在电机控制、驱动系统、电池管理以及不间断电源等领域有着广泛的应用前景。
2804场效应管具有出色的QgxRDS（on）产品（FOM），为电子设备提供了稳定可靠的支撑，在功耗控制、电力驱动、电气安全领域，都展现出卓越的性能和稳定性，提高了电路的稳定性和效率。KNX2804C封装形式：TO-220、TO-263。
漏源电压：40V
漏极电流：150A
漏源通态电阻(RDS(on))：3.0mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：320A
雪崩能量单脉冲：225MJ
最大功耗：230W
输入电容：5900PF
输出电容：690PF
总栅极电荷：120nC
开通延迟时间：28nS
关断延迟时间：110nS
上升时间：68ns
下降时间：32ns
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