10N80E参数,10n80参数及代换,KIA10N80H参数引脚图-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-03-20
漏极电流（ID）：10A
漏极和源极电压（VDSS）：800V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.85Ω
耗散功率（PD）：42W
封装：TO-220F
KIA10N80H功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
KIA10N80H场效应管漏极电流可达10A，漏源击穿电压高达800V，在10V的VGS下，RDS（开）仅为0.85Ω，显示出优异的导通特性；低栅极电荷，仅为63nC，有利于减小开关过程中的功耗损耗；坚固性强，可靠性高，能够适应各种严苛的工作环境；以及具备快速切换能力，使得在高频率操作时仍能保持稳定可靠的性能；指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，保证了在各种工作条件下都能稳定可靠地工作；ESD改进的能力在静电干扰下仍能保持正常功能，适用于各种应用场景，是电子器件领域中的一款高性能元件。
漏源电压：800V
栅源电压：±25V
漏电流连续：10A
脉冲漏极电流：40A
雪崩能量：350mJ
耗散功率：42W
热电阻：62.5℃/W
温度系数：0.8V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：2230 PF
输出电容：135 PF
上升时间：35 ns
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