40n60参数代换,48n60场效应管参数,KCX9860A-KIA MOS管

40N60参数引脚图

额定电流 (ID)：40A

额定电压 (VDSS)：600V

额定功率 (PD)：300W

典型导通电阻 (RDS(on))：0.09Ω

典型栅极驱动电压 (VGS(th))：3.0V

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48n60场效应管参数引脚图

PD最大耗散功率：300W

ID最大漏源电流：40A

V(BR)DSS漏源击穿电压：600V

RDS(ON)Ω内阻：0.079Ω

VRDS(ON)ld通态电流：20A

VRDS(ON)栅极电压：10V

VGS(th)V开启电压：3~5V

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KCX9860A是一款高压MOSFET，使用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力，而不会随着时间的推移而降低性能。此外，这种先进的MOSFET设计用于在雪崩和换向模式下承受高能量。新的节能设计还提供了一个具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和PWM电机控制中的高电压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和整流安全操作区域至关重要的桥式电路，并为防止意外电压瞬变提供额外的安全裕度。

KCX9860A漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二极管用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件等优异特性；KCX9860A封装形式：TO-220F、TO-247；能够替代英飞凌、ST品牌40n60、48n60型号场效应管进行使用。

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