开关电源MOS管,LED驱动,KNX4660A参数7n60代换-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-02-29
KNX4660A沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
KNX4660A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，使其在高压环境下发挥稳定而强大的作用，RDS（ON），典型值=1.0Ω@VGS=10V，具有良好的导通性能；符合RoHS标准、低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管等特性使其在开关电源、LED驱动领域有着广泛的应用前景。
KNX4660A能够替代仙童、UTC等品牌7N60型号场效应管进行使用，封装形式： TO-220、220F，具备出色的稳定性和可靠性，广泛应用于适配器、充电器、SMPS备用电源等设备中。
漏源电压：600V
漏极电流：7.0A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.0Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：28A
雪崩能量单脉冲：550MJ
最大功耗：42/128W
输入电容：1120PF
输出电容：90PF
反向传输电容：10PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：17nS
上升时间：11ns
下降时间：10ns
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