7n60参数及代换,7n60场效应管参数,7n60参数引脚图-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-02-27
KIA7N60H功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
KIA7N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，能够在高压应用中表现出色；RDS（打开）=1.0Ω @ VGS=10V，具有较低的导通电阻，能够有效降低功耗和提高效率；7n60场效应管具有超低的栅极电荷，典型值为27nC，以及低反向转移电容，保证在快速切换过程中能够稳定工作；为了满足各种应用场景下的需求，7N60还经过了雪崩能量测试和改进的dv/dt能力验证，确保其在高压、高频率条件下能够可靠工作，并且还具有高耐用性，能够长时间稳定运行而不损坏，为系统的可靠性提供了保障。
KIA7N60H场效应管的卓越性能，在开关电源和LED驱动领域受到广泛应用；其稳定可靠的特性，以及优秀的电气参数，是各类电路设计的理想选择，能够替代仙童、UTC等品牌7N60型号场效应管进行使用；KIA7N60H封装形式： TO-263、262、220、220F多种封装选择，方便安装使用。
漏源电压：600V
漏极电流：7.0A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.0Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：28A
雪崩能量单脉冲：215MJ
最大功耗：140/45W
输入电容：900PF
输出电容：100PF
反向传输电容：11.5PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：75nS
上升时间：45ns
下降时间：70ns
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