KNX2906B N沟道场效应管代换 60V130A HY3306参数代换-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2022-10-13
该功率MOSFET采用KIA的先进技术生产。该技术使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间，低导通电阻，低栅电荷，特别是优异的雪崩特性。
RDS（打开）类型=4.6mΩ@VGS=10V
低栅电荷（典型145nC）
高坚固性
100%雪崩测试
改进的dv/dt功能
同步整流
锂电池保护板
逆变器
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