MOS管DS并联电阻构成的RCD缓冲电路分享-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2022-07-04
RCD箝位电路具有结构简单、体积小成本低无需驱动等优点，因而被广泛应用于中小型功率开关电源中。
在Bost电路中,开关管关断瞬间，电路中感性元件储存的电能释放会产生很大的尖峰电压，使得开关管承受很大的电压应力，甚至可能导致开关管损坏。
为了消除开关关断瞬间的尖峰电压保证开关管正常工作，很多学者进行了大量研究，得出了RCD箝位电路可以消除开关关断瞬间的尖峰电压，尤甚是在反激电路中可靠性很高。但是由于RCD箝位电路敏感性很高,需要合理的参数设计才能达到理想的缓冲效果。
本文以Boost变换器为例，分析RCD箝位电路工作原理,设计电路基本参数，结合实验验证设计方法的正确性。
功率管开关管箝位电路原理如图1所示，当开关管Q开通时,电容Cs两端压降为晶体管饱和压降,接近于零。开关管关断时,二极管将电阻Rs短路为电感电流iL提供放电通道，电容Cs迅速充电,开关管D、S两端电压被电容电压钳位,开关管减少的电流就是电容充电增加的电流iL。
如果电容Cs足够大,在开关管电流下降至零截止时,电容电压很低，晶体管关断损耗很小。当开关管再次开通时,D、S两端电压为零,电容通过限流电阻Rs开关放电到零，为下一次关断做准备。
没有RCD缓冲时,开关在关断瞬间D、S两端会出现尖峰电压,图3可见，尖峰高达170V左右,这样的过电压对开关管造成很大的冲击，尤其是在高频率、大功率、高输入电路中尤为严重。
为了抑制关断瞬间开关管D、S两端的尖峰电压，给其并联合理参数的RCD缓冲电路,结果如图4所示,发现开关关断瞬间D、S两端的电压过冲得到有效抑制。这是因为在开关关断瞬间,电感能量通过R向电容充电, D、S两端电压被电容电压箝位。
本设计构建的RCD缓冲电路结构简单,成本低,损耗小可以有效地抑制开关管关断瞬间的电压尖峰,保证开关管安全稳定工作，可以应用于中小功率开关电源中。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
