PMOS做固态继电器，PMOS防电流倒灌电路-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2022-06-23
可以通过增加一控制I/O，控制开通。并且能在主动关断时，防止倒灌。
固态继电器电路（防倒灌
如上这个电路，这个电路广泛使用在 电源管理、充电控制上。
这个电路好就好在它是个双向开关，而且可完全控制开通/关断，完全可以替代机械继电器来做固态继电器（前提是输入的信号电压不能太低，起码超出PMOS的G极导通电压范围）。
下面来分析原理：
CONTROL电平为高，电路开通，双向导通：
如CONTROL电平为高，则Q4 NMOS开通，Q2、Q3的G极电位均被拉低到0V。
Q2的体二极管率先导通，Q2的S极电平为VCC-0.7V，因为G极电平为0，所以满足开通条件，Q2完全导通。
而Q3此时的S极与Q2的S极相连，电位相同，均为VCC。并且G极电平为0，也满足开通条件，Q3也完全导通。之后VCC向负载正常供电。
反过来，如果VCC=0，而负载是电压源，也同样导通，只不换成了Q3的体二极管先导通，然后再轮到Q2。
CONTROL电平为低，电路完全关断：
CONTROL电平为低，Q2、Q3都会被关断，并且R2持续上拉，保持Vgs=0，两个PMOS全部处于完全关断状态。
并且因为Q2、Q3的体二极管是反向串联的，所以无论从左还是从右侧，流经DS的电流只有反向漏电流，几乎是没有的。
上面的开关电路固然非常好，但需要的元件数量的比较多，并且需要串联两个PMOS，会对负载效率和成本造成一定的影响。
如果只由一侧向另一侧供电，不考虑也不存在电流倒灌的情景。（实际中大多是是这种情景）来设计一个高侧开关的话，可以是下面这种样式：
上图能控制开通/关断，但不能防止电流倒灌。（体二极管会导通）
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