MOS的集成：CMOS、BICMOS/BIMOS、HV-CMOS这几个型号是有什么区别
信息来源：本站 日期：2017-07-31
MOS的集成 :CMOS，BiCMOS/BiMOS,HV-CMOS
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互补型金属氧化物半导体)器件是目前比拟成熟的半导休集成下艺之一，能够了解为集成电路中的横向构造MOSFET，为了进步开关速度，降低功耗，采用一个N沟道(NMOS)和一个P沟道(PMOS)的互补构造作为一个MOSFET来运用(图1. 30)。CMOS的这种构造互补构造组成的电路方式在集成电路中应用比拟广泛，也不只限于FET，BJT也能够，这种电路方式也称为图腾柱。与CMOS有关的公开材料相当丰厚，中文材料也是如此，这里不再赘述。
CMOS曾经普遍用于RAM和ROM中，直到目前，CMOS依然是最为省电的数字逻辑电路，也被以为是最为地道的逻辑电路，在请求性价比的应用中，Flash ROM和BiCMOS逐步取代了CMOS?；谎灾?，在很多应用中，假如本钱不是问题，CMOS的优势依然不可替代，CMOS RAM采用普通的碱性电池供电叮以坚持数据长达7年左右。
BiCMOS( Bipolar CMOS)与BiMOS是同义词，是双极工艺和CMOS工艺的混血儿，这种本来是针对双极性器件与MOS器件难以在同一芯片上集成的混合丁艺，目前具有尤叮比较的本钱优势，并且叮以用于功率晶体管和IC的制造。
目前常用场效应管、KIAmos管的功率控制IC的常见工艺根本上就是上述两大类：BiCMOS和HV-CMOS，本来非主流的SOI( Silicon-On-Insulator，硅隔离)工艺正在开展中(图1. 31)。
进步电压规格能够有效进步控制功率，而且有些器件的驱动确实需求比拟高的电压，如目前新兴的大屏幕FPD（Flat-Panel Displays，平板显现屏）中的PDP( Plasma Display Panels，等离子显现屏)、FF.D( Field，F.mission Displays，场致发射显现屏)、EL(Electro Luminescent Displays，电致发光显现屏)等等。
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